余女士
职位详情
岗位职责
• 负责Si等材料的干法刻蚀（ICP/RIE）工艺开发与调试；
• 负责特定材料的湿法腐蚀工艺，精确控制腐蚀速率和横向钻蚀；
• 调整气体配比、RF功率、腔室压力等参数，保证刻蚀速率、选择比和侧壁形貌稳定性；
• 使用SEM等表征设备对刻蚀后的侧壁形貌、深宽比、选择比等进行测量与分析；
• 处理刻蚀过程中的产品异常，负责机台能力监控与日常维护；
• 编写刻蚀相关SOP、作业标准书和检测报告；
• 配合研发人员进行工艺改进，参与新产品导入（NPI）。
任职要求
• 本科及以上学历，微电子、半导体物理、材料科学、光电信息、凝聚态物理等相关专业；
• 有GaAs/InP/Si等化合物半导体干法刻蚀实操经验；
• 熟练操作主流ICP/RIE刻蚀设备（如Oxford、LAM、STS、北方华创等）；
• 深刻理解等离子体物理、表面化学反应机理及III-V族材料刻蚀特性；
• 精通DOE实验设计，熟练使用JMP/Minitab等统计工具进行数据分析；
• 掌握SEM、AFM、台阶仪、椭偏仪等表征手段；
• 能适应洁净室工作环境，工作严谨，有较强的安全意识。
薪资详情
职位薪资：9-19K
社保类型：五险一金
奖金补贴：节假日加班费 · 年终奖 · 法定节假日三薪
工作时间
工作时间：长白班
休假安排：周末双休 · 八小时工作制
职位招聘：1人
截止时间：2026-12-31
工作地点
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